<基礎編>
第1章 セラミックスのファイン化技術
1.ファイン化セラミックスの応用 山本博孝
1.1 はじめに
1.2 材料技術から
1.3 マイクロ材料技術から
1.4 製造技術から
2.セラミックスのファイン化技術 尾崎義治
2.1 ファイン化への潮流
2.2 セラミックスは単結晶を超える
2.3 金属アルコキシドによるセラミックスのファイン化技術
<各論A(材料技術)>
第2章 超微粒子技術
1.磁性流体の製法と特性 松村雄介,森田 武
1.1 はじめに
1.2 磁性流体の分散安定性
1.3 磁性流体の製法
1.4 磁性流体の特性
1.5 おわりに
2.積層セラミックコンデンサ 尾野幹也
2.1 構造と特徴
2.2 セラミック誘導体材料
2.3 微細原料の調整技術
2.4 製造プロセス
2.5 今後の展望
3.垂直磁化膜 嶋貫専治,西川羚二
3.1 垂直磁化膜とは
3.2 垂直磁化膜の要求条件
3.3 垂直磁化膜の種類
3.3.1 光磁気記録材料
3.3.2 垂直磁気記録材料
3.4 垂直磁気膜の製造法
3.4.1 希工類−鉄属アモルファス合金膜の製造法
3.4.2 C0-Cr膜の製造法
3.4.3 塗布型Baフェライト
3.5 おわりに
第3章 多孔体技術
1.化学センサ 山本達夫
1.1 はじめに
1.2 湿度センサ
1.3 ガス・センサ
2.触媒と担体 御手洗征明
2.1 はじめに
2.2 多孔体担体の調整技術
2.3 多孔担体の触媒化
2.4 触媒機能に及ぼす担体効果
3.多孔体ガラス 江口清久,野上正行
3.1 はじめに
3.2 分相法
3.2.1 多孔体ガラスの製造方法と特性
3.2.2 各種の応用
3.3 ゾル・ゲル法
3.3.1 ゾル・ゲル法の特徴
3.3.2 多孔体シリカガラス
3.3.3 多成分系多孔体ガラス
第4章 単結晶技術
1.ガーネット系化合物 木村茂行
1.1 はじめに
1.2 YAGおよびレーザー結晶
1.2.1 用途
1.2.2 YAGレーザーの現状
1.2.3 合成技術
1.2.4 問題点
1.2.5 新しい動向
1.3 YIGおよび磁性ガーネット結晶
1.3.1 用途
1.3.2 従来の合成技術
1.3.3 新しい合成技術
1.3.4 問題点
1.4 薄膜単結晶と基板用GGG
1.4.1 用途
1.4.2 合成技術
1.4.3 基板用GGG
1.4.4 新しい動向
1.5 おわりに
2.テルル化カドミウム(CdTe) 細松春夫
2.1 はじめに
2.2 状態図
2.3 結晶成長技術
2.3.1 バルク結晶
2.3.2 エピタキシャル
3.水晶振動子 佐藤 充
3.1 はじめに
3.2 小型水晶振動子
3.2.1 ブランク(水晶素板)
3.2.2 内部構造
3.2.3 容器の関する要求
3.2.4 自動化への対応
3.2.5 複合化
3.3 表面弾性波素子
3.3.1 SAWデバイスの応用
3.4 水晶センサ
3.4.1 温度センサ
3.4.2 圧力センサ
3.5 光学的応用製品
3.5.1 複屈折版(サバール板)
3.5.2 1/4波長板
<各論B(マイクロ材料技術)>
第5章 気相薄膜技術
1.透明電極 大本 修
1.1 はじめに
1.2 透明導電性膜の製造法
1.2.1 スプレー法
1.2.2 化学蒸着法(CVD法)
1.2.3 真空蒸着法
1.2.4 高周波スパッタ法
1.2.5 100℃以下の低温プロセス
1.3 透明導電性膜の電気的性質および光学的性質
1.3.1 電気的性質
1.3.2 光学的性質
2.化合物半導体太陽電池 梅野正義
2.1 はじめに
2.2 化合物太陽電池の特長
2.3 GaAs系太陽電池の製作技術と特性
2.4 ヘテロフェイスGaAs系太陽電池
2.5 GaAs以外の基板上のGaAs系太陽電池
2.5.1 成長層剥離法
2.5.2 Ge,Si基板上へのGaAs成長
2.6 波長分離型タンデムセル
3.光記録媒体 安田修朗
3.1 はじめに
3.2 ファイン化せねばならぬ理由
3.3 Te-C膜の作成法
3.4 TE-C膜の特性
3.5 Te-C光ディスクメモリ
3.6 応用機器
3.7 おわりに
第6章 ハイブリッド技術
1.多層セラミック基板 上山 守
1.1 はじめに
1.2 多層セラミック基板の欠陥
1.2.1 欠陥の検出
1.2.2 欠陥のモード
1.3 製造工程
1.4 多層セラミック基板の特徴
1.5 製造プロセス技術
1.5.1 アルミナ原料
1.5.2 焼結助剤
1.5.3 グリーンシート
1.5.4 穴明け
1.5.5 導体パターンの形成
1.5.6 配線パターンの多層化
1.5.7 焼結
1.6 メッキプロセス
1.7 多層セラミック基板の設計諸元
1.8 多層セラミック基板の新しい動き
1.9 おわりに
2.低温焼結回路基板 丹羽紘一
2.1 はじめに
2.2 アルミナから低温焼結材へ
2.3 低温処決材の組成
2.4 低温焼結材の焼結
2.5 低温焼結回路基板の製造プロセス
2.6 低温焼結回路基板の特性
2.7 おわりに
3.複合マグネット 奥田正直,橋本文男
3.1 はじめに
3.2 フェライト系複合マグネット
3.2.1 ゴムマグネット
3.2.2 プラスチックマグネット
3.2.3 シートボンドマグネット
3.3 希土類系複合マグネット
3.3.1 熱可塑タイプ希土類プラスチックマグネット
3.3.2 熱硬化タイプ希土類プラスチックマグネット
3.4 おわりに
第7章 粒界制御技術
1.バリスタ 植松敬三
1.1 はじめに
1.2 バリスタの電気的性質
1.3 バリスタの応用
1.4 界面の電気的性質
1.5 添加物と準位濃度
1.6 微構造の影響
1.7 バリスタの製造
1.8 最近の試み
1.9 新材質の可能性
2.半導体セラミックコンデンサ 古川喜代志
2.1 はじめに
2.2 半導体セラミックコンデンサの分類
2.3 半導体セラミックコンデンサの製法,特徴
2.3.1 半導体セラミックスの製造
2.3.2 堰層容量形半導体セラミックコンデンサ
2.3.3 再酸化形半導体セラミックコンデンサ
2.3.4 粒界絶縁形
2.4 粒界制御
2.4.1 粒界の二重構造
2.4.2 結晶粒径のコントロール
2.4.3 結晶粒界のコントロール
2.5 おわりに
<各論C(製造技術)>
第8章 超急冷技術
1.機能性ガラス 山根正之
1.1 非晶質とガラス
1.2 冷却速度とガラス化範囲
1.3 ガラス化の難易に関する経験則
1.4 融液の急冷法
1.5 超急冷によって得られるガラス
2.アモルファスセラミックス 南 努
2.1 はじめに
2.2 アモルファスセラミックスの合成法
2.2.1 アモルファス化の難易
2.2.2 臨界冷却速度と超急冷法
2.3 超急冷アモルファスセラミックスの生成系
2.4 超急冷アモルファスセラミックスの特性
2.5 超急冷アモルファスセラミックスの構造
2.6 おわりに
3.アモルファスシリコン 濱川圭弘
3.1 新電子材料としてのアモルファスシリコン
3.2 局在準位と電子物性
3.3 アモルファスシリコンの製造法とその分類
3.4 プラズマ分解法
3.5 光CVDとECRCVD
4.アモルファス磁性合金 荒井賢一,津屋 昇
4.1 はじめに
4.2 アモルファス薄帯作製法
4.3 アモルファス細線作製法
4.4 粉末作製法
4.5 アモルファス薄膜作製法
第9章 接合技術
1.セラミックエンジン 速水諒三
1.1 はじめに
1.2 エンジン用セラミック材料の現状
1.3 製造加工技術の現状
1.3.1 成形と焼結
1.3.2 切削加工
1.3.3 接合加工
1.4 材料と技術の実例
1.5 期待される材料と課題
2.セラミックパッケージ 白水久晴
2.1 はじめに
2.2 積層系セラミックパッケージ
2.2.1 DIP
2.2.2 フラットパッケージ
2.2.3 チップキャリア
2.2.4 PGA
2.2.5 多層配線基板
2.3 サーディップ
2.4 セラミックパッケージ用材料
2.4.1 セラミック材料
2.4.2 金属材料,封止用ガラス材料
3.半田ガラス 河村 励
3.1 はじめに
3.2 封着用
3.3 コート用
3.4 結合用
3.5 おわりに